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元器件采购网 > S-427页 > FET - 阵列SI4963BDY-T1-E3

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SI4963BDY-T1-E3

8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) Vishay Siliconix 5168 鐢佃瘽锛�0755-83217923
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SI4963BDY-T1-E3参数
产品类别:分离式半导体产品-FET - 阵列
说明:MOSFET P-CH DUAL 20V 4.9A 8-SOIC
包装数量:2500
包装形式:带卷 (TR)
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FET 型:2 个 P 沟道(双)
FET 特点:逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss):20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:4.9A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:32 毫欧 @ 6.5A,4.5V
Id 时的 Vgs(th)(最大):1.4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs:21nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds:-
功率 - 最大:1.1W
安装类型:表面贴装

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