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SI4963BDY-T1-E3 |
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) | Vishay Siliconix | 5168 | 电话:0755-83217923 询价QQ: ![]() |
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SI4963BDY-T1-E3参数 产品类别:分离式半导体产品-FET - 阵列 说明:MOSFET P-CH DUAL 20V 4.9A 8-SOIC 包装数量:2500 包装形式:带卷 (TR) PDF资料下载: ![]() FET 型:2 个 P 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):20V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:4.9A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:32 毫欧 @ 6.5A,4.5V Id 时的 Vgs(th)(最大):1.4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:21nC @ 4.5V 输入电容 (Ciss) @ Vds:- 功率 - 最大:1.1W 安装类型:表面贴装 |
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热门型号: RF FETMMBFJ309LT1G 同轴,RFFA1-NMSP-C04-1 拨轮开关A7BS-219-1 矩形M6MMH-2018J 信号,高达 2 AAGQ260S24 快动,限位开关BZE6-2RN80 圆形 - 外壳RT0714-12SNH 拨轮开关A7BS-255-1 圆形 - 外壳MS3456L24-7B 矩形M3CMK-3436J |